9 月 4 日,中央网信办等七部门印发《促进数字化绿色化协同转型发展实施方案(2026—2030 年)》,把 5G 基站散热的技术路径写成三条:低功耗芯片与高效功放、液冷与自然冷源、C-RAN 共享基带。前两条是减负,第三条是搬家——热量从塔上挪进机房。
没有一条是“把界面材料省掉”。政策改的是末端换热,界面那一层还在,要求只会更细。
政策拆开看:5G基站散热被改写的三处
第一句减源头:GaN 功放高频段效率大致 50%–60%,LDMOS 大致 30%–40%,少的是总量不是密度。第二句换末端:冷板或浸没把末端换热提上去,自然冷源省的是空调与风机的电。第三句搬位置:BBU 集中进机房,按 ITU-T L.1326-2023,单个机柜可容纳多达 10 个 BBU、总功耗 5–6 kW,而风冷机柜通常在 20 kW/机柜以下,浸没式液冷可达 30–50 kW/机柜。原文见中央网信办官网,需求盘子见导热材料市场。
上液冷不会替代界面材料
液冷解决“热量怎么带走”,界面材料解决“热量怎么传出来”,两者串联不是替代。热路径拆三段:芯片结到壳体、壳体到散热齿或冷板、散热齿到空气或冷却液,液冷只改最后一段。前两段只要有固体界面,界面热阻就一直在;冷板式液冷还多一处界面,芯片到冷板仍走导热硅胶垫。
末端热阻降下来,界面热阻占比反而上升:风冷下垫片厚度差零点几毫米结温未必看得出,换冷板就藏不住。要求变成更薄、更贴、热阻更稳。也不是系数越高越好:间隙大、公差松的选软垫,见导热硅胶片选型指南。
四个部位:5G基站散热的热负荷落点
AAU 仍是热最集中的位置,塔上、密闭、日晒。导热硅胶垫系数按热流密度在 1–6 W/(m·K) 取,厚度按实测间隙加 10%–20% 压缩量定,常见 0.5–3 mm;公差超 0.5 mm 选软垫。塔上换一次垫片的人工远高于材料。
BBU 池的矛盾是柜内分布不均、风道吹不到局部热点:石墨烯薄膜常见 25–100 µm,贴外壳做面内均温,跨厚度还得靠导热硅胶垫。室外小型化电源密封上去、风道没了,用导热双面胶把功率器件粘到壳体。光模块笼子没变大、热在涨,还是可插拔件,先摊后导:外壳贴膜、间隙填实。
给热设计和采购的三条准备
先定末端散热方式,再定界面材料,末端没定就选型号大概率返工。
把长期可靠性权重提上来,热循环后的硬度变化与析油写进规格书,见导热双面胶常见问题。
按 2026—2030 做认证,别按年度项目做,前期确认备选与二供。
结语
液冷会不会来不用猜,文件写着“逐步引入”。要提前算的是界面那一层:厚度要压、老化按五年做。
政策据七部门《促进数字化绿色化协同转型发展实施方案(2026—2030 年)》整理,数据属公开口径。
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